とのことだったので、丁寧に説明して、回避した。
請求項1には、「二酸化炭素および少なくとも1種の犠牲化合物を含有している装填物を、ミクロ細孔結晶性金属硫化物をベースとする少なくとも1種の半導体を含んでいる光触媒と接触させる」ことが規定されている。補正後の請求項6には、「犠牲化合物は、水、アンモニア、水素、メタンおよびアルコールから選ばれる気体状化合物である」ことが明記されている。
実施例4には、実際に「18mL/hの流量のCO2を水飽和器中に通過させた後に、反応器中に流通させる」とあり、「水飽和器」中に存在するもの、すなわち、気体状の水が犠牲化合物である(段落【0102】参照)。水飽和器を通過することで、CO2の流れは、犠牲化合物を構成する気体状の水で強化される。
以上に説明したように、(b)は、拒絶理由に当たらないものと思料する。